GD2X60MPS06N, SiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018708677
- Артикул
- GD2X60MPS06N
- Бренд
- GENESIC SEMICONDUCTOR
- Brand:
- GeneSiC Semiconductor
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 28
Цена по запросу
(от 6 170 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | GeneSiC Semiconductor |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 28 |
| Серия | MPS |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | SOT-227 |
| Manufacturer: | GeneSiC Semiconductor |
| Package/Case: | SOT-227-4 |
| Product Type: | SiC Schottky Diodes |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Product Category: | SiC Schottky Diodes |
| If - Forward Current: | 120 A |
| Ir - Reverse Current: | 1 uA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.5 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 650 V |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Pd - Power Dissipation: | 408 W |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 420 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 650 V |
| Конфигурация диода | Dual |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 1 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.5 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 120 |