Моя заявка (0)

GD25Q80EEIGR, 2.7V~3.6V -40°C~+85°C 8MbIt 133MHz USON-8-EP(2x3) NOR FLASH ROHS

GD25Q80EEIGR, 2.7V~3.6V -40°C~+85°C 8MbIt 133MHz USON-8-EP(2x3) NOR FLASH ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017659815
Артикул
GD25Q80EEIGR
Бренд
GigaDevice Semiconductor
Technology
FLASH-NOR
Вес, г
0.07
Серия
25Q
Access Time
7 ns
Цена по запросу
(от 77,54 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Микросxема флэш - памяти 8 Мбит SPI - Quad ввода-вывода 133 МГц 7 нс 8-разрядная (2x3)

Технические параметры

TechnologyFLASH-NOR
Вес, г0.07
Серия25Q
Access Time7 ns
Memory Size8Mbit
Memory TypeNon-Volatile
КорпусUSON-8-EP
Memory FormatFLASH
Mounting TypeSurface Mount
Interface TypeSPI
Package / Case8-XFDFN Exposed Pad
Supply Voltage2.7V~3.6V
Clock Frequency133 MHz
Memory InterfaceSPI-Quad I/O
Voltage - Supply2.7V ~ 3.6V
Интерфейсspi
Memory Organization1M x 8
Тип памятиFLASH-NOR
Clock Frequency (fc)133MHz
DigiKey ProgrammableNot Verified
Operating Temperature-40°C ~ 85°C(TA)
Block Erase Time (tBE)150ms@(32KB)
Supplier Device Package8-USON(2x3)
Объем памяти8МБит
Page Programming Time (Tpp)400us
Write Cycle Time - Word, Page70µs, 2ms
Напряжение питания, В3.6
Рабочая температура, °C-40…+85
Максимальная тактовая частота (скорость)133МГц

Техническая документация