Моя заявка (0)
GD100HFX170C1S, Модуль IGBT 1700В 168A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070274553
Артикул
GD100HFX170C1S
Бренд
STARPOWER
Вес, г
150
Корпус
Module
Power Dissipation
632Вт
Структура
полумост
Цена по запросу
(от 11 160 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Модуль IGBT 1700В 168A

Технические параметры

Вес, г150
КорпусModule
Power Dissipation632Вт
Структураполумост
Выводы БТИЗStud
Макс.напр.к-э,В1700
Continuous Collector Current168А
Collector Emitter Voltage Max1.7кВ
Технология БТИЗTrench Field Stop
DC Ток Коллектора168А
Конфигурация БТИЗHalf Bridge
Монтаж транзистораPanel
Collector Emitter Saturation Voltage1.85В
Рассеиваемая Мощность632Вт
Рабочая температура (Tj), °C+150(max)
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Максимальный ток КЭ при 25°C, A168
Максимальное напряжение КЭ ,В1700
Напряжение Коллектор-Эмиттер1.7кВ
Максимальная Рабочая Температура150°C
Номинальный ток одиночного тр-ра,А100
Максимальная Температура Перехода Tj150°C
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт632
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)1.85В

Техническая документация