Моя заявка (0)
GCMX080A120B2H1P, MOSFET Modules SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8029497769
Артикул
GCMX080A120B2H1P
Бренд
SemiQ
Type:
Full Bridge
Brand:
SemiQ
Fall Time:
4 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 8 520 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полномостовые модули GCMX 1200V SiC MOSFET SemiQ Полномостовые модули GCMX 1200V SiC MOSFET обеспечивают низкие потери при переключении, низкое тепловое сопротивление соединения с корпусом и очень прочный и простой монтаж. Эти модули монтируются непосредственно на радиатор (изолированный корпус) и оснащены шкалой Кельвина для обеспечения стабильной работы. Все компоненты были тщательно протестированы на устойчивость к напряжениям выше 1350 В. Отличительной чертой этиx модулей является надежное напряжение сток-исток 1200 В. Полномостовые модули GCMX работают при температуре соединения 175°C и соответствуют требованиям RoHS. Типичные области применения - фотоэлектрические инверторы, зарядные устройства для аккумуляторныx батарей, системы накопления энергии и высоковольтные преобразователи постоянного тока в постоянный.

Технические параметры

Type:Full Bridge
Brand:SemiQ
Fall Time:4 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:3 ns
Вес, г1
Technology:SiC
Subcategory:Discrete and Power Modules
Manufacturer:SemiQ
Product Type:MOSFET Modules
Mounting Style:Press Fit
Product Category:MOSFET Modules
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:40
Pd - Power Dissipation:119 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-5 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Typical Turn-Off Delay Time:18 ns
Id - Continuous Drain Current:27 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Rds On - Drain-Source Resistance:77 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.8 V

Техническая документация