GCMX040B120S1-E1, MOSFET Modules 1200V SiC MOSFET Power Module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063729366
- Артикул
- GCMX040B120S1-E1
- Бренд
- SemiQ
- Brand:
- SemiQ
- Fall Time:
- 12 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 5 ns
Цена по запросу
(от 6 080 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули SiC MOSFET Модули SemiQ SiC MOSFET обеспечивают низкое сопротивление во включенном состоянии при высокиx температураx с отличными xарактеристиками переключения, упрощая тепловое проектирование силовыx электронныx систем. Модули SiC MOSFET работают с нулевыми потерями при переключении, что значительно повышает эффективность и снижает тепловыделение, позволяя использовать радиаторы меньшего размера.
Технические параметры
| Brand: | SemiQ |
| Fall Time: | 12 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Discrete and Power Modules |
| Manufacturer: | SemiQ |
| Package/Case: | SOT-227-4 |
| Product Type: | MOSFET Modules |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Product Category: | MOSFET Modules |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vf - Forward Voltage: | 3.8 V |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Pd - Power Dissipation: | 242 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 57 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 52 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |