GCMX020A120B2B1P, MOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Half-Bridge Module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029497674
- Артикул
- GCMX020A120B2B1P
- Бренд
- SemiQ
- Type:
- Half-Bridge
- Brand:
- SemiQ
- Fall Time:
- 16 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полумостовые модули GCMX 1200V SiC MOSFET SemiQ Полумостовые модули GCMX 1200V SiC MOSFET обеспечивают низкие потери при переключении, низкое тепловое сопротивление соединения с корпусом и очень прочный и простой монтаж. Эти модули монтируются непосредственно на радиатор (изолированный корпус) и оснащены шкалой Кельвина для обеспечения стабильной работы. Все компоненты были тщательно протестированы на устойчивость к напряжениям выше 1350 В. Отличительной особенностью этиx модулей является надежное напряжение сток-исток 1200 В. Полумостовые модули GCMX работают при температуре соединения 175°C и соответствуют требованиям RoHS. Типичные области применения - фотоэлектрические инверторы, зарядные устройства для аккумуляторныx батарей, системы накопления энергии и высоковольтные преобразователи постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Type: | Half-Bridge |
| Brand: | SemiQ |
| Fall Time: | 16 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 8 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Discrete and Power Modules |
| Manufacturer: | SemiQ |
| Product Type: | MOSFET Modules |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Product Category: | MOSFET Modules |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 40 |
| Pd - Power Dissipation: | 385 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -5 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 102 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 19 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |