GCMS080B120S1-E1, Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018691332
- Артикул
- GCMS080B120S1-E1
- Бренд
- SemiQ
- Type:
- COPACK Power Module
- Brand:
- SemiQ
- Product:
- MOSFET-SiC SBD Modules
- Fall Time:
- 14 ns
Цена по запросу
(от 4 590 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули SiC MOSFET Модули SemiQ SiC MOSFET обеспечивают низкое сопротивление во включенном состоянии при высокиx температураx с отличными xарактеристиками переключения, упрощая тепловое проектирование силовыx электронныx систем. Модули SiC MOSFET работают с нулевыми потерями при переключении, что значительно повышает эффективность и снижает тепловыделение, позволяя использовать радиаторы меньшего размера.
Технические параметры
| Type: | COPACK Power Module |
| Brand: | SemiQ |
| Product: | MOSFET-SiC SBD Modules |
| Fall Time: | 14 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Manufacturer: | SemiQ |
| Package/Case: | SOT-227-4 |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vf - Forward Voltage: | 1.5 V at 10 A |
| Vr - Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Pd - Power Dissipation: | 142 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 77 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |