Моя заявка (0)

GBU8M-E3/51, (Диодный мост 8А 1000В), Диодный мост 8А 1000В

GBU8M-E3/51, (Диодный мост 8А 1000В), Диодный мост 8А 1000В

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007334222
Артикул
GBU8M-E3/51
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Тип
Single Phase Bridge
Package
Bulk
Цена по запросу
(от 171,78 ₽)
Минимальный заказ: 3 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Диодный мост 8А 1000В

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.10.0080
ТипSingle Phase Bridge
PackageBulk
Diode TypeSingle Phase
TechnologyStandard
Вес, г4
Длина22.3 mm
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Высота18.8 mm
КорпусGBU
Ширина3.56 mm
Mounting TypeThrough Hole
Package / Case4-SIP, GBU
УпаковкаBulk
Base Product NumberGBU8 ->
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Тип выводовThrough Hole
Other Related Documentshttp://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
Supplier Device PackageGBU
Тип продуктаBridge Rectifiers
ПодкатегорияDiodes Rectifiers
Торговая маркаVishay General Semiconductor
Упаковка / блокGBU
Ir - обратный ток5 uA
Voltage - Peak Reverse (Max)1kV
Current - Reverse Leakage @ Vr5ВµA @ 1000V
Current - Average Rectified (Io)3.9A
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1V @ 8A
Категория продуктаМостовые выпрямители
Vf - прямое напряжение1 V
Vr - обратное напряжение700 V
Другие названия товара №GBU8M-E3/45
Размер фабричной упаковки250
Максимальный ток перегрузки200 A
Пиковое обратное напряжение1000 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C

Техническая документация