Моя заявка (0)

GBU810, (Диодный мост 8А 1000В), Диодный мост 8А 1000В

GBU810, (Диодный мост 8А 1000В), Диодный мост 8А 1000В

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8049718928
Артикул
GBU810
Бренд
DIODES INC.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Width
3.56mm
Package
Tube
Цена по запросу
(от 310 ₽)
Минимальный заказ: 6 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Диодный мост 8А 1000В

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.10.0080
Width3.56mm
PackageTube
Pin Count4
Diode TypeSingle Phase
TechnologyStandard
Вес, г6
Bridge TypeSingle Phase
RoHS StatusROHS3 Compliant
Package TypeGBU
REACH StatusREACH Affected
КорпусGBU
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Package / Case4-SIP, GBU
Diode TechnologySilicon Junction
Base Product NumberGBU810 ->
Peak Forward Voltage1V
Peak Reverse Current500µA
Reverse Voltage (Vr)1kV
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Forward Voltage (Vf@If)1V@4A
Supplier Device PackageGBU
Peak Forward Surge Current200A
Peak Average Forward Current8A
Reverse Leakage Current (Ir)10uA@1kV
Voltage - Peak Reverse (Max)1kV
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Average Rectified Current (Io)8A
Current - Reverse Leakage @ Vr5ВµA @ 1000V
Peak Reverse Repetitive Voltage1000V
Current - Average Rectified (Io)8A
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1V @ 4A
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current200A

Техническая документация