GBJ2510-F, (Диодный мост 25А 1000В), Диодный мост 25А 1000В
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8093590777
- Артикул
- GBJ2510-F
- Бренд
- DIODES INC.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.10.0080
- Width
- 4.8mm
- Package
- Tube
Цена по запросу
(от 295 ₽)
Минимальный заказ: 4 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диодный мост 25А 1000В
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
| Width | 4.8mm |
| Package | Tube |
| Pin Count | 4 |
| Diode Type | Single Phase |
| Technology | Standard |
| Вес, г | 6 |
| Bridge Type | Single Phase |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Package Type | GBJ |
| REACH Status | REACH Affected |
| Корпус | GBJ |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | 4-SIP, GBJ |
| Diode Technology | Silicon Junction |
| при Iпр.,А | 12.5 |
| Base Product Number | GBJ2510 -> |
| Peak Forward Voltage | 1.05V |
| Peak Reverse Current | 500µA |
| Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Supplier Device Package | GBJ |
| Способ монтажа | THT |
| Peak Average Forward Current | 25A |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10ВµA @ 1000V |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 1000V |
| Current - Average Rectified (Io) | 25A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 12.5A |
| Общая емкость Сд,пФ | 85 |
| Рабочая температура,С | -65…+150 |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 350A |
| Максимальный обратный ток,мкА | 10 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1.05 |
| Максимальное импульсное обратное напряжение,В | 1000 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение,В | 1000 |
| Максимальное время обратного восстановления,мкс | - |
| Максимальный допустимый прямой импульсный ток, А | 350 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток, А | 25 |