GAN063-650WSAQ, GAN063-650WSA/ SOT429/TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025500314
- Артикул
- GAN063-650WSAQ
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вес, г
- 0.14
- Технология
- GaN
- Вид монтажа
- Through Hole
- Тип продукта
- MOSFET
Цена по запросу
(от 3 610 ₽)
Минимальный заказ: 300 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-JFET/N-MOSFET, GaN, полевой, HEMT, каскодный, 650В Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид JFET
Технические параметры
| Вес, г | 0.14 |
| Технология | GaN |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| On Resistance Rds(on) Max | 0.06Ом |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 15 nC |
| Drain Source On State Resistance | 0.06Ом |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 34.5А |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 143 W |
| Другие названия товара № | 934660022127 |
| Заряд затвора, типовой (Qg) | 15нКл |
| Id - непрерывный ток утечки | 34.5 A |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TP-247 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 60 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.4 V |