G3R20MT12N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009266864
- Артикул
- G3R20MT12N
- Бренд
- GENESIC SEMICONDUCTOR
- Case
- SOT227B
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +20V, -10V
- Technology
- G3R™, SiC
Цена по запросу
(от 10 790 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 1200 В 105 А (Tc) 365 Вт (Tc) для крепления на шасси SOT-227
Технические параметры
| Case | SOT227B |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +20V, -10V |
| Technology | G3R™, SiC |
| Вес, г | 1.393 |
| Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 74A |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Type of module | MOSFET transistor |
| Kind of channel | enhanced |
| Power dissipation | 365W |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.69V @ 15mA |
| Electrical mounting | screw |
| Gate-source voltage | -5…15V |
| Mechanical mounting | screw |
| On-state resistance | 20mΩ |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Pulsed drain current | 240A |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 60A, 15V |
| Power Dissipation (Max) | 365W(Tc) |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Supplier Device Package | SOT-227 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 219 nC @ 15 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5873 pF @ 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 105A(Tc) |