FZ825R33HE4DBPSA1, IGBT Modules 3300 V, 825 A single switch IGBT module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007725588
- Артикул
- FZ825R33HE4DBPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 335
- Package Type
- AG-IHVB130
- Корпус
- Module
- Configuration
- Single
Цена по запросу
(от 236 500 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модуль Infineon single switch IGBT оснащен диодом TRENCHSTOP™ IGBT4 и 4-мя диодами, управляемыми эмиттером. Этот модуль имеет высокую плотность мощности и опорную пластину AlSiC для повышения возможности термоциклирования.
Технические параметры
| Вес, г | 335 |
| Package Type | AG-IHVB130 |
| Корпус | Module |
| Configuration | Single |
| Number of Transistors | 2 |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Maximum Power Dissipation | 2400 kW |
| Continuous Collector Current | 825А |
| Collector Emitter Voltage Max | 3.3кВ |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| DC Ток Коллектора | 825А |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 3300 V |
| Конфигурация БТИЗ | Dual, Common Emitter |
| Линейка Продукции | IHM-B |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2.4В |
| Maximum Continuous Collector Current | 825 A |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 825 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 3300 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 3.3кВ |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2.4В |