Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006417072
Артикул
FZ400R12KS4
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Product:
IGBT Modules
Packaging:
Tray
Вес, г
340
Цена по запросу
(от 33 710 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-Module/ IGBT-inverter

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Product:IGBT Modules
Packaging:Tray
Вес, г340
Длина106.4 mm
СерияIGBT2 Fast
Technology:Si
Subcategory:IGBTs
Высота36.5 mm
КорпусModule
Ширина61.4 mm
Manufacturer:Infineon
Package/Case:62 mm
Product Type:IGBT Modules
Configuration:Single
ПродуктIGBT Silicon Modules
Mounting Style:Screw Mount
Part # Aliases:SP000100708 FZ400R12KS4HOSA1
УпаковкаTray
Product Category:IGBT Modules
ТехнологияSi
Вид монтажаChassis Mount
Factory Pack Quantity:10
Pd - Power Dissipation:2.5 kW
Тип продуктаIGBT Modules
КонфигурацияSingle Dual Emitter
ПодкатегорияIGBTs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блок62 mm
Gate-Emitter Leakage Current:400 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:20 V
Maximum Operating Temperature:+125 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:3.2 V
Continuous Collector Current at 25 C:510 A
Другие названия товара №SP000100708 FZ400R12KS4HOSA1
Размер фабричной упаковки10
Максимальное напряжение КЭ ,В1200
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 125 C
Непрерывный коллекторный ток при 25 C510 A
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V

Техническая документация