FZ250R65KE3NPSA1, IGBT Module Single 6500 V 500 A 4800 W Chassis Mount Module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8065976807
- Артикул
- FZ250R65KE3NPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 332
- Корпус
- Module
- Power Dissipation
- 4.8кВт
- Выводы БТИЗ
- Stud
Цена по запросу
(от 218 600 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модуль Infineon IGBT - это высокоизолированный модуль с диодом TRENCHSTOP™ IGBT3 и 3-мя диодами, управляемыми эмиттером. Он имеет опорную пластину из алюминиевого сплава для повышения возможности термоциклирования. Этот модуль IGBT подxодит для преобразователей среднего напряжения и тяговыx приводов.
Технические параметры
| Вес, г | 332 |
| Корпус | Module |
| Power Dissipation | 4.8кВт |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Continuous Collector Current | 250А |
| Collector Emitter Voltage Max | 6.5кВ |
| Технология БТИЗ | IGBT 3 |
| DC Ток Коллектора | 250А |
| Конфигурация БТИЗ | Single |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 4.8кВт |
| Рабочая температура (Tj), °C | +125(max) |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 500 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 6500 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 6.5кВ |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 125°C |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 4800 |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 3В |