FZ1200R45HL4BPSA1,IGBT Module, Single Switch, 1.2 kA, 2.3 V, 2400 kW, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046446616
- Артикул
- FZ1200R45HL4BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Product:
- IHM-B Module
- Packaging:
- Tray
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 414 500 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Product: | IHM-B Module |
| Packaging: | Tray |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Вес, кг | 1.2 |
| Корпус | Module |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | 190 mm x 140 mm x 38.5 mm |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | Triple |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Part # Aliases: | FZ1200R45HL4 SP005954488 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity: | 1 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.4 MW |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 4.3 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.75 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 1.2 kA |
| Рабочая температура (Tj), °C | 150 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 1200 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 2.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 2400000 |