FS75R12W2T4BOMA1 IGBT Module, 107 A 1200 V Module, Panel Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033002158
- Артикул
- FS75R12W2T4BOMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.14
- Package Type
- Module
- Mounting Type
- Panel Mount
- Power Dissipation
- 375Вт
Цена по запросу
(от 21 870 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IGBT-модуль Infineon отличается надежностью монтажа благодаря встроенным монтажным зажимам. Этот IGBT-модуль оснащен VCEsat с положительным температурным коэффициентом и подложкой Al2O3 с низким тепловым сопротивлением.
Технические параметры
| Вес, г | 0.14 |
| Package Type | Module |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Power Dissipation | 375Вт |
| Выводы БТИЗ | Press Fit |
| Maximum Power Dissipation | 375 W |
| Continuous Collector Current | 75А |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| DC Ток Коллектора | 75А |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Конфигурация БТИЗ | Six Pack(Full Bridge) |
| Линейка Продукции | EasyPACK |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
| Maximum Continuous Collector Current | 107 A |
| Рассеиваемая Мощность | 375Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |