FS50R12W2T4_B11, IGBT Modules IGBT 1200V 50A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005476822
- Артикул
- FS50R12W2T4_B11
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Product:
- IGBT Silicon Modules
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 40
Цена по запросу
(от 10 980 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 40 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Корпус | Module |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | 6-Pack |
| Mounting Style: | Chassis Mount |
| Part # Aliases: | SP000546148 FS50R12W2T4B11BOMA1 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity: | 15 |
| Pd - Power Dissipation: | 335 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 83 A |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |