FS50R12KT3BPSA1, IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 75 A, 1.7 V, 280 W, 125 °C, Module
![FS50R12KT3BPSA1, IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 75 A, 1.7 V, 280 W, 125 °C, Module](https://static.epl-electro.ru/lib/707/DOC011707675.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008420893
- Артикул
- FS50R12KT3BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1
- Корпус
- Module
- Power Dissipation
- 280Вт
- Структура
- Полный мост
Цена по запросу
(от 17 420 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модуль Infineon IGBT с быстротранзажимным устройством IGBT3, высоковольтным диодом, управляемым эмиттером, и NTC. Разработана концепция экономичного модуля
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Корпус | Module |
| Power Dissipation | 280Вт |
| Структура | Полный мост |
| Выводы БТИЗ | Solder |
| Continuous Collector Current | 75А |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
| DC Ток Коллектора | 75А |
| Конфигурация БТИЗ | Six Pack(Full Bridge) |
| Линейка Продукции | EconoPACK 2 |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
| Рассеиваемая Мощность | 280Вт |
| Рабочая температура (Tj), °C | 125 |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 75 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 125°C |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 280 |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |