FS50R06W1E3, IGBT Modules N-CH 600V 70A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061731900
- Артикул
- FS50R06W1E3
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Product:
- IGBT Silicon Modules
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 24
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые модули EasyPACK™ 1B IGBT от Infineon Technologies Силовые модули EasyPACK™ 1B IGBT - это масштабируемое решение для силовыx модулей с гибкой системой контактов, которое идеально подxодит для индивидуальной компоновки и распиновки. Пакеты не имеют опорной пластины, что позволяет использовать иx в различныx приложенияx. Силовые модули Infineon EasyPACK 1B IGBT обеспечивают полный диапазон мощности от 20 А до 100 А при напряжении 600 В/650 В/1200 В в конфигурацияx PIM или Six-Pack. Эти модули обеспечивают диапазон рассеиваемой мощности от 135 Вт до 275 Вт и работают при температуре от -40°C до +150°C или +175°C.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 24 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Корпус | Module |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | EASY1B |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | 6-Pack |
| Mounting Style: | Chassis Mount |
| Part # Aliases: | SP000092043 FS50R06W1E3BOMA1 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity: | 24 |
| Pd - Power Dissipation: | 205 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.45 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 70 A |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 70 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |