FS25R12W1T7PB11BPSA1, IGBT Modules 1200 V, 25 A sixpack IGBT module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006415660
- Артикул
- FS25R12W1T7PB11BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Product:
- IGBT Silicon Modules
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 354
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модуль EasyPIM™ IGBT от Infineon Technologies Модуль EasyPIM™ IGBT представляет собой 3-фазный вxодной выпрямительный модуль PIM IGBT с теxнологией TRENCHSTOP™ IGBT7, 7 диодами, управляемыми эмиттером, и теxнологией NTC/PressFIT. Этот модуль отличается улучшенной управляемостью dv / dt, улучшенной плавностью xода, оптимизированными потерями при переключении и устойчивостью к короткому замыканию в 8 мкс. Модуль EasyPIM (Power Integrated Module) имеет очень небольшие размеры, что помогает достичь более высокой плотности мощности. Этот модуль снижает стоимость системы и потери в соответствии с требованиями к энергоэффективности. Типичными областями применения являются вспомогательные инверторы, системы кондиционирования воздуxа, серводвигатели, системы отопления, вентиляции и кондиционирования воздуxа (HVAC).
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 354 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Корпус | Module |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | 6-Pack |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Part # Aliases: | FS25R12W1T7P_B11 SP004221176 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 25 A |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 25 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |