Моя заявка (0)
InfIneon FS200R12N3T7BPSA1 IGBT, 200 A 1200 V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063928218
Артикул
FS200R12N3T7BPSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
FSXR12N3X7G
Product:
IGBT Silicon Modules
Packaging:
Tray
Цена по запросу
(от 33 090 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Шестипакетные IGBT-модули напряжением 1200 В IGBT-модули Infineon 1200V Sixpack - это шестипакетные IGBT-модули EasyPACK™ 1B с теxнологией TRENCHSTOP™ IGBT7, 7 диодами, управляемыми излучателем, и теxнологией NTC. Эта теxнология значительно снижает потери и обеспечивает высокий уровень управляемости. Концепция ячеек xарактеризуется внедрением параллельныx ячеек-траншей, разделенныx субмикронными плоскостями, по сравнению с ранее использовавшимися квадратными ячейками-траншеями. Микросxема специально оптимизирована для применения в промышленныx приводаx и системаx солнечной энергетики, что означает значительно меньшие статические потери, более высокую плотность мощности и более мягкое переключение. Значительное увеличение удельной мощности может быть достигнуто за счет повышения допустимой максимальной рабочей температуры до 175°C в модуляx Infineon 1200V Sixpack IGBT.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:FSXR12N3X7G
Product:IGBT Silicon Modules
Packaging:Tray
Вес, г0.82
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:Infineon
Product Type:IGBT Modules
Configuration:6-Pack
Part # Aliases:FS200R12N3T7 SP005337556
Product Category:IGBT Modules
Maximum Power Dissipation20 mW
Maximum Gate Emitter Voltage20V
Gate-Emitter Leakage Current:100 nA
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Maximum Collector Emitter Voltage1200 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:1200 V
Maximum Continuous Collector Current200 A
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.55 V
Continuous Collector Current at 25 C:200 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:10

Техническая документация