Моя заявка (0)

FS200R12KT4RBOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 1000W 35-Pin ECONO3-4 Tray

FS200R12KT4RBOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 1000W 35-Pin ECONO3-4 Tray

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002254963
Артикул
FS200R12KT4RBOSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
35
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
EconoPACK 3
Цена по запросу
(от 36 290 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейка IGBT-модулей Infineon обеспечивает низкие потери при переключении на частотаx до 60 кГц. IGBT-модули включают в себя целый ряд силовыx модулей, такиx как пакеты ECONOPACK с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, полумостовые прерывающие модули PrimePACK IGBT с NTC до 1600/1700 В.

Технические параметры

Pin Count35
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypeEconoPACK 3
КорпусModule
Configuration3 Phase Bridge
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation1кВт
Выводы БТИЗPress Fit
Transistor Configuration3 Phase
Maximum Power Dissipation1000 W
Continuous Collector Current280А
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Collector Emitter Voltage Max1.2кВ
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-40 °C
Технология БТИЗIGBT 4(Trench/Field Stop)
DC Ток Коллектора280А
Maximum Collector Emitter Voltage1200 V
Конфигурация БТИЗSix Pack(Full Bridge)
Линейка ПродукцииEcono 3
Монтаж транзистораPanel
Collector Emitter Saturation Voltage1.75В
Maximum Continuous Collector Current280 A
Рассеиваемая Мощность1кВт
Полярность ТранзистораN Канал
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Максимальный ток КЭ при 25°C, A280
Максимальное напряжение КЭ ,В1200
Напряжение Коллектор-Эмиттер1.2кВ
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальная Температура Перехода Tj150°C
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт1000
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)1.75В

Техническая документация