Моя заявка (0)

FS150R12KT4, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046538501
Артикул
FS150R12KT4
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Product:
IGBT Modules
Packaging:
Tray
Вес, г
301
Цена по запросу
(от 14 140 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULE 1200V, 150A

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Product:IGBT Modules
Packaging:Tray
Вес, г301
Technology:Si
Длина:122 mm
Серия:Trenchstop IGBT4 - T4
Subcategory:IGBTs
КорпусEconoPACK3
Manufacturer:Infineon
Product Type:IGBT Modules
Высота:17 mm
Ширина:62 mm
Configuration:6-Pack
Mounting Style:Screw Mount
Package / Case:Econo 3
Part # Aliases:SP000369613 FS150R12KT4BOSA1
Продукт:IGBT Silicon Modules
Product Category:IGBT Modules
Упаковка:Tray
Структура3-фазный мост
Технология:Si
Factory Pack Quantity:10
Вид монтажа:Chassis Mount
Pd - Power Dissipation:750 W
Тип продукта:IGBT Modules
Конфигурация:Hex
Подкатегория:IGBTs
Производитель:Infineon
Торговая марка:Infineon Technologies
Упаковка / блок:Econo 3
Gate-Emitter Leakage Current:100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:20 V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.75 V
Continuous Collector Current at 25 C:150 A
Другие названия товара №:SP000369613 FS150R12KT4BOSA1
Коммерческое обозначение:TRENCHSTOP EconoPACK
Размер фабричной упаковки:10
Максимальный ток КЭ при 25°C, A150
Максимальное напряжение КЭ ,В1200
Минимальная рабочая температура:- 40 C
Максимальная рабочая температура:+ 150 C
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:150 A
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:20 V

Техническая документация