FS150R12KT3BOSA1 IGBT Module, 200 A 1200 V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014774473
- Артикул
- FS150R12KT3BOSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.14
- Number of Transistors
- 6
- Maximum Power Dissipation
- 700 W
- Maximum Gate Emitter Voltage
- +/-20V
Цена по запросу
(от 55 780 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В IGBT-модуле infineon максимальный номинальный повторяющийся пиковый ток коллектора составляет 300 А, а напряжение насыщения коллектор-эмиттер равно 2.
Технические параметры
| Вес, г | 0.14 |
| Number of Transistors | 6 |
| Maximum Power Dissipation | 700 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 200 A |