FS150R12KT3, IGBT Modules N-CH 1.2KV 200A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005541733
- Артикул
- FS150R12KT3
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 300
- Длина
- 122 mm
- Высота
- 17 mm
- Корпус
- Module
Цена по запросу
(от 23 990 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200A
Технические параметры
| Вес, г | 300 |
| Длина | 122 mm |
| Высота | 17 mm |
| Корпус | Module |
| Ширина | 62 mm |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Упаковка | Tray |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Конфигурация | Hex |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | Econo 3 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Pd - рассеивание мощности | 700 W |
| Другие названия товара № | FS150R12KT3BOSA1 SP000100440 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 200 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 200 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.15 V |