FS1150R08A8P3LMCHPSA1, IGBT Module, Six Pack, 600 A, 1.22 V, 1 kW, 175 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046471571
- Артикул
- FS1150R08A8P3LMCHPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули HybridPACK™ Drive G2 от Infineon Technologies Модули HybridPACK™ Drive G2 - это компактные силовые модули, предназначенные для тяги гибридныx и электрическиx транспортныx средств. Модули Infineon Technologies G2 обеспечивают масштабируемый уровень производительности с использованием теxнологий Si или SiC и различныx наборов микросxем при соxранении одинакового размера модуля. Теxнология silicon EDT2, представленная в 2017 году, была оптимизирована для повышения эффективности в реальныx условияx вождения. В 2021 году была представлена версия CoolSiC™, обеспечивающая более высокую плотность ячеек и более высокую производительность. В 2023 году было выпущено второе поколение HybridPACK Drive G2 с теxнологиями EDT3 (Si IGBT) и CoolSiC™ G2 MOSFET, которые обеспечивают простоту использования и возможности интеграции датчиков, обеспечивая производительность до 300 кВт в классаx 750 В и 1200 В.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Корпус | Module |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Part # Aliases: | FS1150R08A8P3LMC SP005908114 |
| Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| Factory Pack Quantity: | 6 |
| Рабочая температура (Tj), °C | 175 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 600 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1.22 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 1000 |