Моя заявка (0)

Infineon FS100R12W2T7B11BOMA1 IGBT Module, 100 A 1200 V Module

Infineon FS100R12W2T7B11BOMA1 IGBT Module, 100 A 1200 V Module

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8064080680
Артикул
FS100R12W2T7B11BOMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.82
Channel Type
N
Package Type
Module
Number of Transistors
6
Цена по запросу
(от 18 220 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

FS100R12W2T7_B11, SP001656864

Технические параметры

Вес, г0.82
Channel TypeN
Package TypeModule
Number of Transistors6
Выводы БТИЗPress Fit
Transistor ConfigurationSix Pack
Maximum Power Dissipation20 mW
Maximum Gate Emitter Voltage20V
Collector Emitter Voltage Max1.2кВ
Технология БТИЗIGBT 7(Trench/Field Stop)
Maximum Collector Emitter Voltage1200 V
Конфигурация БТИЗSix Pack(Full Bridge)
Линейка ПродукцииEasyPIM
Монтаж транзистораPanel
Maximum Continuous Collector Current100 A
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Напряжение Коллектор-Эмиттер1.2кВ
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальная Температура Перехода Tj175°C

Техническая документация