FPF2G120BF07ASP, Trans IGBT Module N-CH 650V 40A 156W Tray
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013200459
- Артикул
- FPF2G120BF07ASP
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.29.00.95
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 28 160 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tray |
| Automotive | No |
| Technology | Field Stop |
| Вес, г | 335 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Type | N |
| Корпус | Module |
| Configuration | Triple |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 156 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 650 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 40 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 2 |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.55 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 40 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 650 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 156 |