FPF2G120BF07AS, Trans IGBT Module N-CH 650V 40A 156W 17-Pin Case F2 Tray
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049234246
- Артикул
- FPF2G120BF07AS
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Mounting
- Screw
- Packaging
- Tray
- Pin Count
- 17
Цена по запросу
(от 25 670 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный IGBT-модуль N-CH 650V 40A 156 Вт, 17-контактный корпус, лоток F2
Технические параметры
| PPAP | No |
| Mounting | Screw |
| Packaging | Tray |
| Pin Count | 17 |
| Automotive | No |
| Technology | Field Stop |
| Вес, г | 335 |
| PCB changed | 17 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Type | N |
| Корпус | Module |
| Configuration | Triple |
| Package Width | 56.7 |
| Package Length | 62.8 |
| Supplier Package | Case F2 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 156 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 650 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 2 |
| Maximum Continuous DC Collector Current (A) | 40 |
| Typical Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.55 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 40 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 650 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 156 |