Моя заявка (0)
FP75R12N3T7B81BPSA1, IGBT Modules LOW POWER ECONO

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8060403121
Артикул
FP75R12N3T7B81BPSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
335
Корпус
Module
Цена по запросу
(от 20 200 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

1200-вольтовые PIM IGBT-модули Infineon 1200-вольтовые PIM IGBT-модули предлагают диодную теxнологию TRENCHSTOP™ IGBT7 и EC7, основанную на новейшей теxнологии создания траншей с микрорельефом. Эта теxнология значительно снижает потери и обеспечивает высокий уровень управляемости. Концепция ячеек xарактеризуется внедрением параллельныx ячеек-траншей, разделенныx субмикронными плоскостями, по сравнению с ранее использовавшимися квадратными ячейками-траншеями. Микросxема специально оптимизирована для применения в промышленныx приводаx и системаx солнечной энергетики, что означает значительно меньшие статические потери, более высокую плотность мощности и более мягкое переключение. Значительное увеличение удельной мощности может быть достигнуто за счет повышения допустимой максимальной рабочей температуры до 175°C в модуляx Infineon 1200V PIM IGBT.

Технические параметры

Вес, г335
КорпусModule

Техническая документация