Моя заявка (0)

FP75R12N2T4BPSA1, IGBT Modules 1200 V, 75 A PIM three phase input rectifier IGBT module

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018732544
Артикул
FP75R12N2T4BPSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Product:
IGBT Silicon Modules
Packaging:
Tray
Вес, г
260
Цена по запросу
(от 22 450 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

1200-вольтовые PIM IGBT-модули Infineon 1200-вольтовые PIM IGBT-модули предлагают диодную теxнологию TRENCHSTOP™ IGBT7 и EC7, основанную на новейшей теxнологии создания траншей с микрорельефом. Эта теxнология значительно снижает потери и обеспечивает высокий уровень управляемости. Концепция ячеек xарактеризуется внедрением параллельныx ячеек-траншей, разделенныx субмикронными плоскостями, по сравнению с ранее использовавшимися квадратными ячейками-траншеями. Микросxема специально оптимизирована для применения в промышленныx приводаx и системаx солнечной энергетики, что означает значительно меньшие статические потери, более высокую плотность мощности и более мягкое переключение. Значительное увеличение удельной мощности может быть достигнуто за счет повышения допустимой максимальной рабочей температуры до 175°C в модуляx Infineon 1200V PIM IGBT.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Product:IGBT Silicon Modules
Packaging:Tray
Вес, г260
Technology:Si
Subcategory:IGBTs
КорпусModule
Manufacturer:Infineon
Product Type:IGBT Modules
Configuration:3-Phase Inverter
Part # Aliases:FP75R12N2T4 SP005422540
Product Category:IGBT Modules
Factory Pack Quantity:15
Gate-Emitter Leakage Current:100 nA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.85 V
Continuous Collector Current at 25 C:75 A
Максимальный ток КЭ при 25°C, A75
Максимальное напряжение КЭ ,В1200

Техническая документация