FP75R12KT4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Urmax: 1,2кВ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8056449808
- Артикул
- FP75R12KT4
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- AG-ECONO3-3
- Topology
- buck chopper, IGBT three-phase bridge, NTC thermistor, three-phase diode bridge
- Technology
- EconoPIM™ 3
- Вес, г
- 300
Цена по запросу
(от 12 940 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1.85V IGBT 4 PIM
Технические параметры
| Case | AG-ECONO3-3 |
| Topology | buck chopper, IGBT three-phase bridge, NTC thermistor, three-phase diode bridge |
| Technology | EconoPIM™ 3 |
| Вес, г | 300 |
| Application | frequency changer, Inverter |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Корпус | Module |
| Type of module | IGBT |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Упаковка | Tray |
| Collector current | 75A |
| Power dissipation | 385W |
| Структура | 3-фазный мост |
| Electrical mounting | Press-in PCB |
| Mechanical mounting | screw |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Max. off-state voltage | 1.2kV |
| Semiconductor structure | diode/transistor |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Pulsed collector current | 150A |
| Конфигурация | 3-Phase |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | Econo 3 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Pd - рассеивание мощности | 385 W |
| Другие названия товара № | FP75R12KT4BOSA1 SP000355581 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 150 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.25 V |