FP50R12KE3BOSA1, IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8510421206
- Артикул
- FP50R12KE3BOSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.31
- Корпус
- Module
- Number of Transistors
- 7
- Maximum Power Dissipation
- 280 W
Цена по запросу
(от 21 340 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Модуль CBI, 1200В 75A ECONO Характеристики Категория Транзистор Тип модуль Вид IGBT
Технические параметры
| Вес, г | 0.31 |
| Корпус | Module |
| Number of Transistors | 7 |
| Maximum Power Dissipation | 280 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 75 A |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 75 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 280 |