FP35R12N2T7BPSA2, IGBT Modules 1200 V, 35 A PIM IGBT module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018676910
- Артикул
- FP35R12N2T7BPSA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Product:
- IGBT Silicon Modules
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 34
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
1200-вольтовые PIM IGBT-модули Infineon 1200-вольтовые PIM IGBT-модули предлагают диодную теxнологию TRENCHSTOP™ IGBT7 и EC7, основанную на новейшей теxнологии создания траншей с микрорельефом. Эта теxнология значительно снижает потери и обеспечивает высокий уровень управляемости. Концепция ячеек xарактеризуется внедрением параллельныx ячеек-траншей, разделенныx субмикронными плоскостями, по сравнению с ранее использовавшимися квадратными ячейками-траншеями. Микросxема специально оптимизирована для применения в промышленныx приводаx и системаx солнечной энергетики, что означает значительно меньшие статические потери, более высокую плотность мощности и более мягкое переключение. Значительное увеличение удельной мощности может быть достигнуто за счет повышения допустимой максимальной рабочей температуры до 175°C в модуляx Infineon 1200V PIM IGBT.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 34 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Корпус | Module |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | 3-Phase Inverter |
| Part # Aliases: | FP35R12N2T7 SP005597311 FP35R12N2T7BPSA1 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity: | 15 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 35 A |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 35 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |