FP25R12W2T4, IGBT TransIstors / Modules ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038228865
- Артикул
- FP25R12W2T4
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Product:
- IGBT Silicon Modules
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 39
Цена по запросу
(от 5 640 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
FP25R12W2T4 - это IGBT-модуль EasyPIM™ 2B PIM с быстродействующим IGBT4, управляемым излучателем, 4 диодами и NTC. • Высокая плотность мощности • Продуманная концепция модуля easy • Имеется встроенный датчик температуры • Конструкция модуля с низкой паразитной индуктивностью • Компактная концепция модуля • Гибкость конфигурации
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 39 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Корпус | Module |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | EASY2B |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | 3-Phase Inverter |
| Mounting Style: | Chassis Mount |
| Part # Aliases: | SP000307561 FP25R12W2T4BOMA1 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity: | 15 |
| Pd - Power Dissipation: | 175 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 39 A |
| Рабочая температура (Tj), °C | +150(max) |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 39 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 175 |