Моя заявка (0)

FP25R12W1T7B11BPSA1,IGBT Module, PIM Three Phase Input Rectifier, 25 A, 1.6 V, 175 °C, Module

FP25R12W1T7B11BPSA1,IGBT Module, PIM Three Phase Input Rectifier, 25 A, 1.6 V, 175 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001542632
Артикул
FP25R12W1T7B11BPSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.356
Серия
Trenchstop IGBT7
Channel Type
N
Package Type
EASY1B
Цена по запросу
(от 9 020 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY

Технические параметры

Вес, г0.356
СерияTrenchstop IGBT7
Channel TypeN
Package TypeEASY1B
КорпусModule
ПродуктIGBT Silicon Modules
УпаковкаTray
ТехнологияSi
Number of Transistors7
Вид монтажаScrew Mount
Тип продуктаIGBT Modules
КонфигурацияPIM
ПодкатегорияIGBTs
Maximum Power Dissipation20 mW
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокAG-EASY1B-2
Maximum Gate Emitter Voltage20V
Maximum Collector Emitter Voltage1200 V
Категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
Maximum Continuous Collector Current25 A
Другие названия товара №FP25R12W1T7_B11 SP001656938
Коммерческое обозначениеTRENCHSTOP EasyPIM
Рабочая температура (Tj), °C175
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Размер фабричной упаковки24
Максимальный ток КЭ при 25°C, A25
Максимальное напряжение КЭ ,В1.6
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Непрерывный коллекторный ток при 25 C25 A
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.6 V

Техническая документация