Моя заявка (0)

FP15R12W1T4B3BOMA1 Common Collector IGBT Module, 28 A 1200 V, 23-Pin EASY1B, PCB Mount

FP15R12W1T4B3BOMA1 Common Collector IGBT Module, 28 A 1200 V, 23-Pin EASY1B, PCB Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009828197
Артикул
FP15R12W1T4B3BOMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
23
Вес, г
0.16
Channel Type
N
Package Type
EASY1B
Цена по запросу
(от 13 630 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейка IGBT-модулей Infineon обеспечивает низкие потери при переключении на частотаx до 60 кГц. IGBT-модули включают в себя целый ряд силовыx модулей, такиx как пакеты ECONOPACK с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, полумостовые прерывающие модули PrimePACK IGBT с NTC до 1600/1700 В.

Технические параметры

Pin Count23
Вес, г0.16
Channel TypeN
Package TypeEASY1B
КорпусModule
ConfigurationCommon Collector
Mounting TypePCB Mount
Switching Speed1MHz
Power Dissipation130Вт
Выводы БТИЗPress Fit
Transistor Configuration3 Phase
Maximum Power Dissipation130 W
Continuous Collector Current15А
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Collector Emitter Voltage Max1.2кВ
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-40 °C
Технология БТИЗIGBT 4(Trench/Field Stop)
DC Ток Коллектора15А
Maximum Collector Emitter Voltage1200 V
Конфигурация БТИЗPIM Three Phase Input Rectifier
Линейка ПродукцииEasyPIM
Монтаж транзистораPanel
Collector Emitter Saturation Voltage1.85В
Maximum Continuous Collector Current28 A
Рассеиваемая Мощность130Вт
Рабочая температура (Tj), °C+175(max)
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Максимальный ток КЭ при 25°C, A28
Максимальное напряжение КЭ ,В1200
Напряжение Коллектор-Эмиттер1.2кВ
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальная Температура Перехода Tj175°C
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт130
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)1.85В

Техническая документация