FP15R06W1E3, IGBT Modules N-CH 600V 22A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062727067
- Артикул
- FP15R06W1E3
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 24
- Длина
- 62.8 mm
- Высота
- 12 mm
- Корпус
- Module
Цена по запросу
(от 11 160 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 22A
Технические параметры
| Вес, г | 24 |
| Длина | 62.8 mm |
| Высота | 12 mm |
| Корпус | Module |
| Ширина | 33.8 mm |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Упаковка | Tray |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Конфигурация | Array 7 |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | EASY1B |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Pd - рассеивание мощности | 81 W |
| Другие названия товара № | FP15R06W1E3BOMA1 SP000092046 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Размер фабричной упаковки | 24 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 22 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 22 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |