Моя заявка (0)

FP10R12W1T4B3BOMA1 IGBT Module, 20 A 1200 V Module, Panel Mount

FP10R12W1T4B3BOMA1 IGBT Module, 20 A 1200 V Module, Panel Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8033002145
Артикул
FP10R12W1T4B3BOMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.14
Package Type
Module
Mounting Type
Panel Mount
Power Dissipation
105Вт
Цена по запросу
(от 12 090 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IGBT-модуль Infineon отличается надежностью монтажа благодаря встроенным монтажным зажимам. Этот IGBT-модуль оснащен VCEsat с положительным температурным коэффициентом и подложкой Al2O3 с низким тепловым сопротивлением.

Технические параметры

Вес, г0.14
Package TypeModule
Mounting TypePanel Mount
Power Dissipation105Вт
Выводы БТИЗSolder
Maximum Power Dissipation105 W
Continuous Collector Current20А
Maximum Gate Emitter Voltage+/-20V
Collector Emitter Voltage Max1.2кВ
Технология БТИЗIGBT 4(Trench/Field Stop)
DC Ток Коллектора20А
Maximum Collector Emitter Voltage1200 V
Конфигурация БТИЗPIM Three Phase Input Rectifier
Линейка ПродукцииEasyPIM Series
Монтаж транзистораPanel
Collector Emitter Saturation Voltage1.85В
Maximum Continuous Collector Current20 A
Рассеиваемая Мощность105Вт
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Напряжение Коллектор-Эмиттер1.2кВ
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальная Температура Перехода Tj150°C
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)1.85В

Техническая документация