FP100R12KT4BOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002252001
- Артикул
- FP100R12KT4BOSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 323
- Корпус
- Module
- Number of Transistors
- 7
- Maximum Power Dissipation
- 515 W
Цена по запросу
(от 30 430 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В IGBT-модуле infineon максимальный номинальный повторяющийся пиковый ток коллектора составляет 200 А, а напряжение насыщения коллектор-эмиттер равно 2.
Технические параметры
| Вес, г | 323 |
| Корпус | Module |
| Number of Transistors | 7 |
| Maximum Power Dissipation | 515 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
| Рабочая температура (Tj), °C | +150(max) |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 100 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 515 |