FODM217AR2, Интегральные схемы
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064174063
- Артикул
- FODM217AR2
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- FODM217
- Packaging
- Cut Tape(CT)
- Input Type
- DC
- Вес, г
- 0.18
Цена по запросу
(от 41 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторные выходные оптопары 4 PIN TRANSISTOR OUTPUT MFP
Технические параметры
| Series | FODM217 |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Input Type | DC |
| Вес, г | 0.18 |
| Серия | FODM217A |
| Output Type | Transistor |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 4-SOIC(0.173", 4.40mm Width) |
| Number of Channels | 1 |
| Voltage - Isolation | 3750Vrms |
| Тип выхода | Phototransistor |
| Vce Saturation (Max) | 400mV |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 110В°C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 3 us |
| Rise / Fall Time (Typ) | 2Вµs, 3Вµs |
| Voltage - Output (Max) | 80V |
| Supplier Device Package | 4-SOP |
| Тип продукта | Transistor Output Optocouplers |
| If - прямой ток | 20 mA |
| Конфигурация | 1 Channel |
| Подкатегория | Optocouplers |
| Current - Output / Channel | 50mA |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | SOP-4 |
| Current Transfer Ratio (Max) | 160%@ 5mA |
| Current Transfer Ratio (Min) | 80%@ 5mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
| Turn On / Turn Off Time (Typ) | 3Вµs, 3Вµs |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 50mA |
| Время нарастания | 2 us |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Категория продукта | Транзисторные выходные оптопары |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Напряжение изоляции | 3750 Vrms |
| Vf - прямое напряжение | 1.2 V |
| Vr - обратное напряжение | 6 V |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Коэффициент передачи по току | 80 % to 160 % |
| Максимальный коллекторный ток | 50 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 110 C |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 80 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |