FOD817C3SD, Transistor Output Optocouplers TRANSISTOR OUTPUT SMD LEAD BEND VDE
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004834371
- Артикул
- FOD817C3SD
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Mounting
- Surface Mount
- Input Type
- DC
- Вес, г
- 0.29
- Длина
- 5.1 mm
Цена по запросу
(от 50,75 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторные выходные оптопары TRANSISTOR OUTPUT SMD LEAD BEND VDE
Технические параметры
| Mounting | Surface Mount |
| Input Type | DC |
| Вес, г | 0.29 |
| Длина | 5.1 mm |
| Серия | FOD817C |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Output Type | DC |
| Высота | 4 mm |
| Ширина | 7 mm |
| Maximum Fall Time | 18 us |
| Maximum Rise Time | 18 us |
| Max Processing Temp | 260 |
| Тип выхода | NPN Phototransistor |
| Maximum Input Current | 50 mA |
| Operating Temperature | -55 to 110 °C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 18 us |
| Maximum Forward Voltage | 1.4 V |
| Maximum Reverse Voltage | 6 V |
| Typical Forward Voltage | 1.2 V |
| Тип продукта | Transistor Output Optocouplers |
| If - прямой ток | 50 mA |
| Конфигурация | 1 Channel |
| Подкатегория | Optocouplers |
| Maximum Collector Current | 50 mA |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Minimum Isolation Voltage | 5000 Vrms |
| Number of Channels per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | SMD-4 |
| Время нарастания | 18 us |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 70 V |
| Категория продукта | Транзисторные выходные оптопары |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Напряжение изоляции | 5000 Vrms |
| Vf - прямое напряжение | 1.4 V |
| Maximum Current Transfer Ratio @ Current | 400% |
| Vr - обратное напряжение | 6 V |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 200 mV |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Другие названия товара № | FOD817C3SD_NL |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Коэффициент передачи по току | 400 % |
| Максимальный коллекторный ток | 50 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 110 C |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 70 V |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 70 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.2 V |