Моя заявка (0)
FOD817B300, Transistor Output Optocouplers Phototransistor Output

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004834364
Артикул
FOD817B300
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FOD817B
Military
No
Packaging
Box
Цена по запросу
(от 38,87 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Оптопара транзисторная FOD817B300 от производителя ONSEMI представляет собой высококачественный компонент с одним каналом. Этот продукт обладает выходным напряжением максимум 70 В, временем включения и выключения по 4 мкс, а также напряжением изоляции 5 кВ. Такие характеристики делают его идеальным выбором для разнообразной области применения, где требуется надежная изоляция и быстродействие. Монтируется методом THT и упаковывается в корпус DIP4, что обеспечивает удобство в использовании. CTR@If этой модели находится в диапазоне от 130 до 260% при токе 5mA, что гарантирует высокую эффективность. FOD817B300 является надежным решением для разработки электронных схем различного назначения. Характеристики Категория Оптопара Тип транзисторная CTR@If 130-260%@5mA Вид выхода транзистор Кол-во каналов 1 Выходное напряжение макс., В 70 Время включения, мкс 4 Время выключения, мкс 4 Напряжение изоляции, кВ 5 Монтаж THT Корпус DIP4

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FOD817B
MilitaryNo
PackagingBox
Pin Count4
AutomotiveNo
Fall Time:18 us
Packaging:Tube
Rise Time:18 us
Вес, г0.26
Output Type:NPN Phototransistor
Subcategory:Optocouplers
Manufacturer:onsemi
Product Type:Transistor Output Optocouplers
Configuration:1 Channel
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:PDIP-4
Part # Aliases:FOD817B300_NL
Supplier PackagePDIP Black
Product Category:Transistor Output Optocouplers
Isolation Voltage:5000 Vrms
Number of Channels:1 Channel
If - Forward Current:50 mA
Standard Package NamePDIP
Vf - Forward Voltage:1.4 V
Vr - Reverse Voltage:6 V
Current Transfer Ratio:130%
Pd - Power Dissipation:200 mW
Maximum Fall Time - (us)18
Maximum Rise Time - (us)18
Maximum Collector Current:50 mA
Number of Channels per Chip1
Current Transfer Ratio - Max:260%
Current Transfer Ratio - Min:130%
Maximum Forward Voltage - (V)1.4
Maximum Reverse Voltage - (V)6
Operating Temperature - (??C)-55~110
Maximum Operating Temperature:+110 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Collector Current - (mA)50
Maximum Power Dissipation - (mW)200
Maximum Collector Emitter Voltage:70 V
Minimum Isolation Voltage - (Vrms)5000
Maximum Current Transfer Ratio - (%)260
Minimum Current Transfer Ratio - (%)130
Maximum Collector-Emitter Voltage - (V)70
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:200 mV
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (mV)200

Техническая документация