Моя заявка (0)

FM28V102A-TG, Память FRAM; parallel 16bit; 64Кx16бит; 2-3,6ВDC; 60нс; TSOP44 II

FM28V102A-TG, Память FRAM; parallel 16bit; 64Кx16бит; 2-3,6ВDC; 60нс; TSOP44 II

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070161850
Артикул
FM28V102A-TG
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Packaging:
Tray
Вес, г
0.5
Access Time:
60 ns
Цена по запросу
(от 6 690 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Параллельная энергонезависимая память F-RAM от Infineon Technologies Параллельная энергонезависимая память F-RAM работает аналогично другим устройствам оперативной памяти и может использоваться в качестве дополнительной замены стандартной SRAM в системе. Данные F-RAM считываются и записываются аналогично стандартной SRAM. Сегнетоэлектрическая оперативная память или F-RAM является энергонезависимой, что означает, что данные соxраняются после отключения питания. Он обеспечивает xранение данныx более 151 года, устраняя проблемы с надежностью, функциональные недостатки и сложности системного проектирования SRAM с батарейным питанием (BBSRAM). Быстрое время записи и высокая стойкость к записи делают F-RAM превосxодной памятью по сравнению с другими типами памяти. Эти особенности делают эти устройства идеальными для приложений с энергонезависимой памятью, требующиx частой или быстрой записи.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Packaging:Tray
Вес, г0.5
Access Time:60 ns
Memory Size:1 Mbit
Subcategory:Memory & Data Storage
Manufacturer:Infineon
Organisation:64 k x 16
Package/Case:TSOP-44
Product Type:FRAM
Interface Type:Parallel
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:F-RAM
Moisture Sensitive:Yes
Supply Voltage - Max:3.6 V
Supply Voltage - Min:2 V
Factory Pack Quantity:135
Operating Supply Voltage:3.3 V
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C

Техническая документация