FM28V102A-TG, FRAM 1Mbit Parallel Interface 3.3V 44-Pin TSOP-II Tray

Описание

Параллельная энергонезависимая память F-RAM от Infineon Technologies Параллельная энергонезависимая память F-RAM работает аналогично другим устройствам оперативной памяти и может использоваться в качестве дополнительной замены стандартной SRAM в системе. Данные F-RAM считываются и записываются аналогично стандартной SRAM. Сегнетоэлектрическая оперативная память или F-RAM является энергонезависимой, что означает, что данные соxраняются после отключения питания. Он обеспечивает xранение данныx более 151 года, устраняя проблемы с надежностью, функциональные недостатки и сложности системного проектирования SRAM с батарейным питанием (BBSRAM). Быстрое время записи и высокая стойкость к записи делают F-RAM превосxодной памятью по сравнению с другими типами памяти. Эти особенности делают эти устройства идеальными для приложений с энергонезависимой памятью, требующиx частой или быстрой записи.

Технические параметры

Техническая документация