Моя заявка (0)

FM25V02A-DGQ, Память FRAM; SPI; 32Кx8бит; 2-3,6ВDC; 40МГц; DFN8

FM25V02A-DGQ, Память FRAM; SPI; 32Кx8бит; 2-3,6ВDC; 40МГц; DFN8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070174542
Артикул
FM25V02A-DGQ
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Packaging:
Tube
Technology
FRAM(Ferroelectric RAM)
Вес, г
0.5
Цена по запросу
(от 1 627,88 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

F-RAM Последовательный модуль памяти F-RAM

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Packaging:Tube
TechnologyFRAM(Ferroelectric RAM)
Вес, г0.5
Memory Size256Kbit
Memory TypeNon-Volatile
Memory Size:256 kbit
Subcategory:Memory & Data Storage
Manufacturer:Infineon
Memory FormatFRAM
Mounting TypeSurface Mount
Organisation:32 k x 8
Product Type:FRAM
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Clock Frequency40 MHz
Interface Type:SPI
Mounting Style:SMD/SMT
Memory InterfaceSPI
Voltage - Supply2V ~ 3.6V
УпаковкаTube
Product Category:F-RAM
Memory Organization32K x 8
Moisture Sensitive:Yes
DigiKey ProgrammableNot Verified
Operating Temperature-40°C ~ 85°C(TA)
Supply Voltage - Max:3.6 V
Supply Voltage - Min:2 V
Factory Pack Quantity:810
Supplier Device Package8-DFN(4x4.5)
Тип продуктаFRAM
Maximum Clock Frequency:33 MHz
ПодкатегорияMemory Data Storage
Размер Памяти256Кбит
Торговая маркаCypress Semiconductor
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Тактовая Частота33МГц
Тип Интерфейса ИСSPI
Категория продуктаF-RAM
Количество Выводов8вывод(-ов)
Организация Памяти32К x 8бит
Размер фабричной упаковки162
Чувствительный к влажностиYes
Минимальное Напряжение Питания2.7В
Стиль Корпуса Микросхемы ПамятиDFN
Максимальное Напряжение Питания3.6В
Минимальная Рабочая Температура-40 C
Максимальная Рабочая Температура105 C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 3-168 часов

Техническая документация