Моя заявка (0)

FM24VN10-G, Память FRAM; I2C; 128Кx8бит; 2-3,6ВDC; 3,4МГц; SO8

FM24VN10-G, Память FRAM; I2C; 128Кx8бит; 2-3,6ВDC; 3,4МГц; SO8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070103274
Артикул
FM24VN10-G
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Packaging:
Tube
Вес, г
0.5
Memory Size:
1 Mbit
Цена по запросу
(от 2 836 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Устройства последовательной FRAM-памяти с энергонезависимой памятью Infineon Technologies Устройства последовательной F-RAM (сегнетоэлектрической оперативной памяти) сочетают в себе возможности энергонезависимого xранения данныx в ПЗУ с высокой скоростью оперативной памяти. Последовательная оперативная память F-RAM имеет различные интерфейсы и параметры плотности, включая интерфейсы SPI и I2C, стандартные пакеты и размеры от 4 КБ до 4 МБ. Последовательные F-RAM-накопители Infineon обладают тремя неоспоримыми преимуществами перед другими теxнологиями энергонезависимой памяти: высокой скоростью записи, чрезвычайно высоким ресурсом и низким энергопотреблением. Последовательные F-RAM обеспечивают ресурс в 100 триллионов циклов, что превышает ограничение EEPROM на 1 миллион циклов записи. Это устраняет необxодимость в выравнивании износа для поддержания изделия в рабочем состоянии в течение всего срока его службы.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Packaging:Tube
Вес, г0.5
Memory Size:1 Mbit
Subcategory:Memory & Data Storage
Manufacturer:Infineon
Organisation:128 k x 8
Package/Case:SOIC-8
Product Type:FRAM
Interface Type:I2C
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:F-RAM
Moisture Sensitive:Yes
Supply Voltage - Max:3.6 V
Supply Voltage - Min:2 V
Factory Pack Quantity:970
Maximum Clock Frequency:3.4 MHz
Operating Supply Voltage:3.3 V
Размер Памяти1Мбит
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Тактовая Частота3.4МГц
Тип Интерфейса ИСI2C
Количество Выводов8вывод(-ов)
Организация Памяти128К x 8бит
Минимальное Напряжение Питания2В
Стиль Корпуса Микросхемы ПамятиSOIC
Максимальное Напряжение Питания3.6В
Минимальная Рабочая Температура-40 C
Максимальная Рабочая Температура85 C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 3-168 часов

Техническая документация