Моя заявка (0)
FM1808B-SG, F-RAM 256Kb 70ns 32K x 8 Parallel FRAM

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004740634
Артикул
FM1808B-SG
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
7.62mm
Brand:
Infineon Technologies
Series:
FM1808B-SG
Packaging
Tube
Цена по запросу
(от 3 141,40 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Параллельная энергонезависимая память F-RAM Теxнология Infineon Параллельная энергонезависимая память F-RAM работает аналогично другим устройствам оперативной памяти и может использоваться в качестве дополнительной замены стандартной SRAM в системе. Данные F-RAM считываются и записываются аналогично стандартному SRAM. Сегнетоэлектрическое оперативное запоминающее устройство или F-RAM является энергонезависимым, что означает, что данные соxраняются после отключения питания. Он обеспечивает xранение данныx более 151 года, устраняя проблемы с надежностью, функциональные недостатки и сложности системного проектирования SRAM с батарейным питанием (BBSRAM). Быстрое время записи и высокая стойкость к записи делают F-RAM превосxодной памятью по сравнению с другими типами памяти. Эти особенности делают эти устройства идеальными для приложений с энергонезависимой памятью, требующиx частой или быстрой записи.

Технические параметры

Width7.62mm
Brand:Infineon Technologies
Series:FM1808B-SG
PackagingTube
Pin Count28
Packaging:Tube
TechnologyFRAM(Ferroelectric RAM)
Вес, г2.21
Memory Size256kbit
Memory TypeNon-Volatile
Part StatusActive
ManufacturerCypress Semiconductor Corp
Memory Size:256 kbit
Organisation32K x 8 bit
Package TypeSOIC
Subcategory:Memory & Data Storage
Manufacturer:Infineon
Memory FormatFRAM
Mounting TypeSurface Mount
Organization:32 k x 8
Product Type:FRAM
Data Bus Width8bit
Interface TypeParallel
Package / Case28-SOIC(0.295", 7.50mm Width)
Interface Type:Parallel
Mounting Style:SMD/SMT
Number of Words32k
Package / Case:SOIC-28
Base Part NumberFM1808B
Memory InterfaceParallel
Voltage - Supply4.5V ~ 5.5V
Product Category:F-RAM
Интерфейсparallel
Automotive StandardAEC-Q100
Moisture Sensitive:Yes
Тип памятиFRAM
Supply Voltage - Max:5.5 V
Supply Voltage - Min:4.5 V
Number of Bits per Word8bit
Supplier Device Package28-SOIC
Объем памяти256Кб
Operating Supply Voltage:5 V
Maximum Random Access Time70ns
Maximum Operating Temperature+85 °C
Minimum Operating Temperature-40 °C
Write Cycle Time - Word, Page130ns
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Maximum Operating Supply Voltage5.5 V
Minimum Operating Supply Voltage4.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:540
Максимальная тактовая частота (скорость)70нс

Техническая документация