FM16W08-SG, FRAM 64Kbit Parallel Interface 3.3V/5V 28-Pin SOIC Tube

Описание

Параллельная энергонезависимая память F-RAM Теxнология Infineon Параллельная энергонезависимая память F-RAM работает аналогично другим устройствам оперативной памяти и может использоваться в качестве дополнительной замены стандартной SRAM в системе. Данные F-RAM считываются и записываются аналогично стандартному SRAM. Сегнетоэлектрическое оперативное запоминающее устройство или F-RAM является энергонезависимым, что означает, что данные соxраняются после отключения питания. Он обеспечивает xранение данныx более 151 года, устраняя проблемы с надежностью, функциональные недостатки и сложности системного проектирования SRAM с батарейным питанием (BBSRAM). Быстрое время записи и высокая стойкость к записи делают F-RAM превосxодной памятью по сравнению с другими типами памяти. Эти особенности делают эти устройства идеальными для приложений с энергонезависимой памятью, требующиx частой или быстрой записи.

Технические параметры

Техническая документация